全球最小的MOSFET:
CTLDM3590(20V,160毫安的,N-通道)
CTLDM7590(20V,140毫安的,P-通道)
MOSFET在TLM3D6D8包
這個包是0806,這是67%的電路板空間,并降低28%,比傳統的1212(1.2毫米.2毫米,T =0.5毫米)金屬氧化物半導體場效應晶體管的檔案。
應用程序需要放低姿態,但更小的空間,更高的性能,例如便攜設備,如智能手機和數碼相機的理想選擇。
描述
中央半導體的CTLDM3590(N溝道)和CTLDM7590(P溝道)的增強型MOSFET設計的應用,包括高速脈沖放大器和驅動程序。這些MOSFET的導通益低導通電阻RDS(ON),低閾值電壓和非常低的柵極電荷特性。
特點
•高達2kV的ESD保護)
•低RDS(ON)
•低閾值電壓
•低柵極電荷
應用
•負載/電源開關
•升壓/降壓轉換器
•電池充電/電源管理
優點
•薄型
•節省空間
•能源效率
CTLDM3590 datasheet
CTLDM7590 datasheet
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